參數(shù)資料
型號(hào)： V53C816H
廠商： Mosel Vitelic, Corp.
英文描述： 512K X 16 FAST PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM
中文描述： 為512k × 16快速頁(yè)面模式的CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
文件頁(yè)數(shù)： 13/18頁(yè)
文件大?。?/td> 213K
代理商： V53C816H
13
V53C816H Rev. 1.3 February 1999
MOSEL V ITELIC
V53C816H
Waveforms of CAS-before-RAS Refresh Counter Test Cycle
Waveforms of CAS-before-RAS Refresh Cycle
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
RP (3)
t
IH
V
IL
V
t
CSR (47)
t
RSH (W)(25)
t
CAS (5)
816H-12
t
RAS (1)
t
CHR (49)
t
RCS (7)
t
WCS (27)
t
LZ (21)
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
t
DH (33)
t
CP(43)
t
RCH (14)
t
RRH (15)
t
ROH (16)
OAC (17)
t
HZ (22)
t
HZ (22)
t
RWL (31)
t
CWL (26)
t
DS (32)
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
READ CYCLE
WRITE CYCLE
t
WCH (28)
I/O
ADDRESS
WE
WE
I/O
D
OUT
D
IN
RAS
CAS
OE
OE
I/O
IH
V
IL
V
RAS
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
CAS
t
RAS (1)
t
RC (2)
t
CP (43)
t
HZ (22)
t
CSR (47)
RP (3)
t
t
RPC (48)
t
CHR (49)
RP (3)
t
NOTE: WE, OE, A0–A8 = Don’t care
816H-13
Don’t Care
Undefined
相關(guān)PDF資料
PDF描述
V53C816H50 512K X 16 FAST PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM
V53C816H60 512K X 16 FAST PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM
V53C818H30 HIGH PERFORMANCE 512K X 16 EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM
V53C818H50 HIGH PERFORMANCE 512K X 16 EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM
V53C818H HIGH PERFORMANCE 512K X 16 EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM
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V-5410EK 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:V Basics
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