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參數資料
| 型號： | V53C518165AT60 |
| 廠商： | Mosel Vitelic, Corp. |
| 英文描述： | DRAM|EDO|1MX16|CMOS|TSOP|50PIN|PLASTIC |
| 中文描述： | 內存| EDO公司| 1MX16 |的CMOS |的TSOP | 50PIN |塑料 |
| 文件頁數： | 6/28頁 |
| 文件大小： | 193K |
| 代理商： | V53C518165AT60 |
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6
V53C518165A Rev. 1.1 January 1998
MOSEL VITELIC
V53C518165A
Write Cycle
31
t
WCH
Write command hold time
8
–
10
–
ns
32
t
WP
Write command pulse width
8
–
10
–
ns
33
t
WCS
Write command setup time
0
–
0
–
ns
15
34
t
RWL
Write command to RAS lead time
8
–
10
–
ns
35
t
CWL
Write command to CAS lead time
8
–
10
–
ns
36
t
DS
Data setup time
0
–
0
–
ns
16
37
t
DH
Data hold time
8
–
10
–
ns
16
Read-modify-Write Cycle
38
t
RWC
Read-write cycle time
113
–
138
–
ns
39
t
RWD
RAS to WE delay time
64
–
77
–
ns
15
40
t
CWD
CAS to WE delay time
27
–
32
–
ns
15
41
t
AWD
Column address to WE delay time
39
–
47
–
ns
15
42
t
OEH
OE command hold time
10
–
13
–
ns
EDO Page Mode Cycle
43
t
HPC
EDO page mode cycle time
20
–
25
–
ns
44
t
CP
CAS precharge time
8
–
10
–
ns
45
t
CPA
Access time from CAS precharge
–
27
–
32
ns
7
46
t
COH
Output data hold time
5
–
5
–
ns
47
t
RASP
RAS pulse width in EDO page mode
50
200k
60
200k
ns
48
t
RHPC
CAS precharge to RAS Delay
27
–
32
–
ns
49
t
OES
OE setup time prior to
CAS
5
–
5
–
ns
EDO Page Mode Read-Modify-Write Cycle
50
t
PRWC
EDO page mode read-write cycle time
58
–
68
–
ns
51
t
CPWD
CAS precharge to WE
41
–
49
–
ns
CAS-before-RAS Refresh Cycle
52
t
CSR
CAS setup time
10
–
10
–
ns
53
t
CHR
CAS hold time
10
–
10
–
ns
54
t
RPC
RAS to CAS precharge time
5
–
5
–
ns
55
t
WRP
Write to RAS precharge time
10
–
10
–
ns
56
t
WRH
Write hold time referenced to RAS
10
–
10
–
ns
CAS-before-RAS Counter Test Cycle
57
t
CPT
CAS precharge time (CAS-before-RAS counter test cycle)
35
–
40
–
ns
#
Symbol
Parameter
Limit Values
Unit
Note
-50
-60
Min.
Max.
Min.
Max.
AC Characteristics
(Cont’d)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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