參數(shù)資料
型號： UPA863TD
英文描述： Discrete
中文描述： 離散
文件頁數(shù)： 3/28頁
文件大?。?/td> 142K
代理商： UPA863TD
Data Sheet P15734EJ1V0DS
3
μ
PA863TC
h
FE
CLASSIFICATION
Rank
FB
Marking
5B
h
FE
Value of Q1
70 to 140
h
FE
Value of Q2
100 to 145
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPA863TD-T3 BJT
UPA871TD TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 5.5V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TSOP
UPA871TD-T3 TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 5.5V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TSOP
UPA872TD Discrete
UPA872TD-T3 TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 5.5V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-363VAR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UPA863TD-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicn AMP Oscilltr Twn Trnst RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
UPA863TD-T3 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT
UPA863TD-T3-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Silicon Amp/Oscilltr Twin/Dual Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
UPA871TD 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 5.5V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TSOP
UPA871TD-T3 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 5.5V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TSOP
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*