參數(shù)資料
型號： UPA863TD
英文描述： Discrete
中文描述： 離散
文件頁數(shù)： 17/28頁
文件大?。?/td> 142K
代理商： UPA863TD
Data Sheet P15734EJ1V0DS
17
μ
PA863TC
V
CE
= 1 V, I
C
= 10 mA, Z
O
= 50
Frequency
(GHz)
S
11
S
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S
12
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22
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55.8
55.8
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55.5
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CE
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S
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S
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63.1
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0.292
0.384
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPA863TD-T3 BJT
UPA871TD TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 5.5V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TSOP
UPA871TD-T3 TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 5.5V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TSOP
UPA872TD Discrete
UPA872TD-T3 TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 5.5V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-363VAR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UPA863TD-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicn AMP Oscilltr Twn Trnst RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
UPA863TD-T3 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT
UPA863TD-T3-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Silicon Amp/Oscilltr Twin/Dual Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
UPA871TD 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 5.5V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TSOP
UPA871TD-T3 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 5.5V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TSOP
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