參數(shù)資料
型號: UPA859TD
英文描述: Discrete
中文描述: 離散
文件頁數(shù): 6/35頁
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代理商: UPA859TD
Data Sheet PU10096EJ01V0DS
6
μ
PA850TD
Q1
Q2
20
30
40
10
0
4
2
6
8
C
C
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
I
B
= 50 A
150 A
100 A
200 A
250 A
300 A
350 A
400 A
80
70
60
50
20
10
40
30
0
3
1
2
4
5
6
C
C
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
350 A
300 A
250 A
500 A
450 A
400 A
200 A
150 A
100 A
I
B
= 50 A
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PDF描述
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UPA861TC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Discrete
UPA861TD 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon RF Twin RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
UPA861TD-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon RF Twin RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel