參數(shù)資料
型號： UPA836TC
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR
中文描述： NPN硅外延雙晶體管
文件頁數(shù)： 4/12頁
文件大?。?/td> 68K
代理商： UPA836TC
4
μ
PA836TF
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
°
C)
200
100
0
50
100
150
Ambient temperature T
A
(
°
C)
T
T
Total Power Dissipation vs. Ambient Temperature
Free Air
2 elements in total
Q1 when using
2 elements
Q1 when using 1 element
50
40
30
20
10
0
0.5
1.0
V
CE
= 3 V
DC base voltage V
BE
(V)
C
C
Collector Current vs. DC Base Voltage
Collector Current vs. Collector to Emitter Voltage
60
40
30
10
0
2
4
6
C
C
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
1
3
5
500 A
50
20
400 A
300 A
200 A
I
B
= 100 A
Ambient temperature T
A
(
°
C)
T
T
Total Power Dissipation vs. Ambient Temperature
Free Air
50
100
150
200
100
0
DC base voltage V
BE
(V)
C
C
V
CE
= 1 V
0
0.5
1
0.02
0.01
0.5
0.2
10
5
20
0.05
0.1
1
2
100
50
Collector Current vs. DC Base Voltage
C
C
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
I
B
= 20 A
60 A
μ
40 A
μ
80 A
100 A
120 A
140 A
160 A
180 A
200 A
10
20
0
1
2
3
4
5
6
30
Collector Current vs. Collector to Emitter Voltage
Q1
Q2
2 elements in total
Q2 when using
2 elements
Q2 when using 1 element
μ
μ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPA836TC-T1 NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR
UPA836TF NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A 6-PIN THIN-TYPE SMALL MINI MOLD PACKAGE
UPA836TF-T1 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A 6-PIN THIN-TYPE SMALL MINI MOLD PACKAGE
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參數(shù)描述
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