參數(shù)資料
型號(hào)： UPA835TC-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE
中文描述： NPN硅外延晶體管2不同元素在一個(gè)平面，鉛6引腳薄型包裝超超MINIMOLD
文件頁(yè)數(shù)： 8/12頁(yè)
文件大小： 71K
代理商： UPA835TC-T1
Data Sheet P14555EJ1V0DS00
8
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PA835TC
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PDF描述
UPA835TC NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE
UPA836 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A 6-PIN THIN-TYPE SMALL MINI MOLD PACKAGE
UPA836TC NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR
UPA836TC-T1 NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR
UPA836TF NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A 6-PIN THIN-TYPE SMALL MINI MOLD PACKAGE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UPA835TF 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR
UPA835TF-T1 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR
UPA836 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A 6-PIN THIN-TYPE SMALL MINI MOLD PACKAGE
UPA836TC 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR
UPA836TC-T1 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Silicon RF Twin RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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