參數(shù)資料
型號(hào)： UPA828
廠商： NEC Corp.
英文描述： HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR WITH BUILT-IN 6-PIN 2 x 2SC5184 THIN-TYPE SMALL MINI MOLD
中文描述： 高速低噪聲放大器NPN硅外延雙晶體管，內(nèi)建6頻率引腳2 × 2SC5184薄型小微型模具
文件頁(yè)數(shù)： 19/20頁(yè)
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代理商： UPA828
P
PA828TF
19
[MEMO]
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PDF描述
UPA828TF HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR WITH BUILT-IN 6-PIN 2 x 2SC5184 THIN-TYPE SMALL MINI MOLD
UPA828TF-T1 HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR WITH BUILT-IN 6-PIN 2 x 2SC5184 THIN-TYPE SMALL MINI MOLD
UPA831 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE
UPA831TC NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR
UPA831TC-T1 NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR
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參數(shù)描述
UPA828TC 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:Discrete
UPA828TD-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Silicn Amp Oscilltr Dul Trnsist RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
UPA828TD-T3-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Silicn Amp Oscilltr Dul Trnsist RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
UPA828TF 制造商:NEC 制造商全稱(chēng):NEC 功能描述:HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR WITH BUILT-IN 6-PIN 2 x 2SC5184 THIN-TYPE SMALL MINI MOLD
UPA828TF_99 制造商:NEC 制造商全稱(chēng):NEC 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR
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