參數(shù)資料
型號： UPA828
廠商： NEC Corp.
英文描述： HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR WITH BUILT-IN 6-PIN 2 x 2SC5184 THIN-TYPE SMALL MINI MOLD
中文描述： 高速低噪聲放大器NPN硅外延雙晶體管，內(nèi)建6頻率引腳2 × 2SC5184薄型小微型模具
文件頁數(shù)： 14/20頁
文件大?。?/td> 92K
代理商： UPA828
P
PA828TF
14
S PARAMETER Q2
V
CE
= 2 V, I
C
= 7 mA, Z
0
= 50
:
FREQUENCY
GHz
S
11
S
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S
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S
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ANG.
MAG.
ANG.
MAG.
ANG.
MAG.
ANG.
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PDF描述
UPA828TF HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR WITH BUILT-IN 6-PIN 2 x 2SC5184 THIN-TYPE SMALL MINI MOLD
UPA828TF-T1 HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR WITH BUILT-IN 6-PIN 2 x 2SC5184 THIN-TYPE SMALL MINI MOLD
UPA831 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE
UPA831TC NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR
UPA831TC-T1 NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR
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