- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄381004 > UPA80 UPA80C Data Sheet | Data Sheet[02/1982] PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | UPA80 |
| 英文描述： | UPA80C Data Sheet | Data Sheet[02/1982] |
| 中文描述： | UPA80C數(shù)據(jù)表|數(shù)據(jù)表[1982分之02] |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 319K |
| 代理商： | UPA80 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA801T-T1 | BJT |
| UPA802TC | Discrete |
| UPA804T | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 12V V(BR)CEO | 60MA I(C) | SO |
| UPA850TD | Discrete |
| UPA851TD | Discrete |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UPA800T | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD |
| UPA800T-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicn AMP Oscilltr Twn Trnst RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| UPA800TF | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| UPA800TF-T1 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:BJT |
| UPA800T-T1 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 DISC BY CEL 2/02 SO-6 NPN HI-FREQ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。