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參數(shù)資料
| 型號： | UPA802TC |
| 英文描述： | Discrete |
| 中文描述： | 離散 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 319K |
| 代理商： | UPA802TC |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA804T | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 12V V(BR)CEO | 60MA I(C) | SO |
| UPA850TD | Discrete |
| UPA851TD | Discrete |
| UPA854TD | Discrete |
| UPA855TD | Discrete |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UPA802TCT1 | 制造商:NEC/CEL 功能描述:New |
| UPA802T-T1 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD |
| UPA802T-T1-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| UPA803 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD |
| UPA803T | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD |
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