參數(shù)資料
型號： UPA677TB
廠商： NEC Corp.
英文描述： N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
中文描述： N溝道MOS場效應晶體管開關
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 58K
代理商： UPA677TB
Data Sheet G16598EJ1V0DS
2
μ
PA677TB
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25°C)
CHARACTERISTICS
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Zero Gate Voltage Drain Current
I
DSS
V
DS
= 20.0 V, V
GS
= 0 V
1.0
μ
A
Gate Leakage Current
I
GSS
V
GS
=
±
12.0 V, V
DS
= 0 V
±
10
μ
A
Gate Cut-off Voltage
V
GS(off)
V
DS
= 10.0 V, I
D
= 1.0
mA
0.5
1.0
1.5
V
Forward Transfer Admittance
Note
| y
fs
|
V
DS
= 10.0 V, I
D
= 0.30 A
0.25
0.75
S
Drain to Source On-state Resistance
Note
R
DS(on)1
V
GS
= 4.5 V, I
D
= 0.30 A
0.38
0.57
R
DS(on)2
V
GS
= 4.0 V, I
D
= 0.30 A
0.41
0.60
R
DS(on)3
V
GS
= 2.5 V, I
D
= 0.15 A
0.60
0.88
Input Capacitance
C
iss
V
DS
= 10.0 V
28
pF
Output Capacitance
C
oss
V
GS
= 0 V
11
pF
Reverse Transfer Capacitance
C
rss
f = 1.0 MHz
7
pF
Turn-on Delay Time
t
d(on)
V
DD
= 10.0 V, I
D
= 0.30 A
20
ns
Rise Time
t
r
V
GS
= 4.0 V
51
ns
Turn-off Delay Time
t
d(off)
R
G
= 10
94
ns
Fall Time
t
f
87
ns
Body Diode Forward Voltage
Note
V
F(S-D)
I
F
= 0.35 A, V
GS
= 0 V
0.84
V
Note
Pulsed PW
≤
350
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
TEST CIRCUIT SWITCHING TIME
PG.
R
G
0
V
GS
D.U.T.
R
L
V
DD
τ
= 1 s
Duty Cycle
≤
1%
τ
GS
Wave Form
DS
Wave Form
V
GS
V
DS
10%
0
0
90%
90%
90%
V
GS
V
DS
t
on
t
off
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
10%
10%
相關PDF資料
PDF描述
UPA807 MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SUPER MINI MOLD
UPA807T MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SUPER MINI MOLD
UPA807T-T1 MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SUPER MINI MOLD
UPA809 MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD
UPA809TF NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UPA677TB-T1-A 功能描述:MOSFET DL N-CH 20V SC-88 6SSP RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
UPA677TB-T2-A 功能描述:MOSFET N-CH DUAL 20V SC-70 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
UPA678TB 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA678TB-T1-A 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 20V 0.25A 6PIN SC-88 - Tape and Reel
UPA678TB-T2-A 功能描述:MOSFET P-CH DUAL 20V SC-70 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*