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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UPA652 |
| 英文描述： | UPA652TT Data Sheet | Data Sheet[09/2002] |
| 中文描述： | UPA652TT數(shù)據(jù)表|數(shù)據(jù)表[09/2002] |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/8頁(yè) |
| 文件大小： | 75K |
| 代理商： | UPA652 |
Data Sheet G16202EJ1V0DS
4
μ
PA650TT
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
D
0
5
10
15
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
Pulsed
1.8 V
1.5 V
2.5 V
V
GS
=
4.5 V
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
D
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.5
1
1.5
2
V
DS
=
10 V
Pulsed
T
A
= 125°C
75°C
25°C
25°C
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
G
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
-50
0
50
100
150
V
DS
=
10 V
I
D
=
1 mA
f
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
T
A
= 75°C
125°C
V
DS
=
10 V
Pulsed
T
A
=
25°C
25°C
T
ch
- Channel Temperature -
°
C
I
D
- Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
0
20
40
60
80
100
120
140
0.01
0.1
1
10
100
V
GS
=
4.5 V
Pulsed
T
A
= 125°C
75°C
25°C
25°C
0
20
40
60
80
100
120
140
0.01
0.1
1
10
100
V
GS
=
2.5 V
Pulsed
T
A
= 125°C
75°C
25°C
25°C
D
I
D
- Drain Current - A
D
I
D
- Drain Current - A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA650TT | P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING |
| UPA814TF | BJT |
| UPA81 | UPA81C Data Sheet | Data Sheet[02/1982] |
| UPA814TF-T1 | BJT |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UPA652TT | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING |
| UPA653 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:UPA653TT Data Sheet | Data Sheet[09/2002] |
| UPA653TT | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING |
| UPA670T(T1) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
| UPA670T-T1-A | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:PNP Dual Transistor,50V,0.1A,Mini-Mold 制造商:Renesas 功能描述:0 |
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