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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UPA652 |
| 英文描述： | UPA652TT Data Sheet | Data Sheet[09/2002] |
| 中文描述： | UPA652TT數(shù)據(jù)表|數(shù)據(jù)表[09/2002] |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 75K |
| 代理商： | UPA652 |
Data Sheet G16202EJ1V0DS
3
μ
PA650TT
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25°C)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
d
0
20
40
60
80
100
0
20
40
60
80
100 120 140 160
P
T
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0
20
40
60
80
100
120
140
160
T
A
- Ambient Temperature -
°
C
T
A
- Ambient Temperature -
°
C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
D
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
Single Pulse
Mounted on FR-4 board of
50 cm
2
× 1.1 mm
PW = 1 ms
100 ms
10 ms
I
D(pulse)
I
D(DC)
5 s
R
DS(on)
Limited
(V
GS
=
4.5 V)
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
r
t
°
C
1
10
100
1000
Single Pulse
Mounted on FR-4 board of
50 cm
2
× 1.1 mm
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - Pulse Width - s
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA650TT | P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING |
| UPA814TF | BJT |
| UPA81 | UPA81C Data Sheet | Data Sheet[02/1982] |
| UPA814TF-T1 | BJT |
| UPA814TKB | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 6V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-363 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UPA652TT | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING |
| UPA653 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:UPA653TT Data Sheet | Data Sheet[09/2002] |
| UPA653TT | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING |
| UPA670T(T1) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
| UPA670T-T1-A | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:PNP Dual Transistor,50V,0.1A,Mini-Mold 制造商:Renesas 功能描述:0 |
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