參數(shù)資料
型號(hào)： UPA603
廠(chǎng)商： NEC Corp.
英文描述： P-CHANNEL MOS FET 6-PIN 2 CIRCUITS
中文描述： P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管6引腳2電路
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 63K
代理商： UPA603
μ
PA603T
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
d
0
100
80
60
40
20
T
C
- Case Temperature - C
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
P
T
0
350
300
250
200
150
100
50
T
A
- Ambient Temperature - C
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
I
D
0
–120
–100
–80
–60
–40
–20
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
TRANSFER CHARACTERISTICS
I
D
0
–100
–10
–1
–0.1
–0.01
–0.001
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
GATE TO SOURCE CUTOFF VOLTAGE
vs. CHANNEL TEMPERATURE
V
G
–30
–2.4
–2.2
–2.0
–1.8
–1.6
–1.4
–1.2
T
ch
- Channel Temperature - C
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE
vs. DRAIN CURRENT
|
f
|
–1
100
I
D
- Drain Current mA
Free air
V
DS
= –5.0 V
Pulsed
measurement
–10
40
20
60
80
100
120
140
160
25
50
75
100
125
150
Peroneunt
Toa
–2
–4
–6
–8
–10
–12
–14
Pulsed
measurement
–8 V
–6 V
–4 V
V
GS
= –2 V
–5
–15
T
A
= 150 C
75 C
25 C
–25 C
0
30
60
90
120
150
V
DS
= –5.0 V
I
D
= –1 A
50
20
10
5
2
1
–2
–5
–10
–20
–50
–100
V
DS
= –5.0 V
25 C
75 C
150 C
T
A
= –25 C
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PDF描述
UPA603T P-CHANNEL MOS FET 6-PIN 2 CIRCUITS
UPC2711T 3 GHz SILICON MMIC WIDE-BAND AMPLIFIER
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