參數(shù)資料
型號(hào)： UPA603T
廠商： NEC Corp.
英文描述： P-CHANNEL MOS FET 6-PIN 2 CIRCUITS
中文描述： P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管6引腳2電路
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大?。?/td> 63K
代理商： UPA603T
1996
DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
μ
PA603T
The
μ
PA603T is a mini-mold device provided with two
MOS FET circuits. It achieves high-density mounting and
saves mounting costs.
FEATURES
Two MOS FET circuits in package the same size as
SC-59
Complement to
μ
PA602T
Automatic mounting supported
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C)
PARAMETER
SYMBOL
RATINGS
UNIT
Drain to Source Voltage
V
DSS
–50
V
Gate to Source Voltage
V
GSS
+16
V
Drain Current (DC)
I
D(DC)
–100
mA
Drain Current (pulse)
I
D(pulse)
*
–200
mA
Total Power Dissipation
P
T
300 (Total)
mW
Channel Temperature
T
ch
150
C
Storage Temperature
T
stg
–55 to +150
C
*
PW
≤
10 ms, Dury Cycle
≤
50 %
Document No. G11250EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published June 1996 P
Printed in Japan
PACKAGE DIMENSIONS (in millimeters)
0.32
+0.1
1
2
0.95
0.95
1.9
2.9 ±0.2
0.16
+0.1
0.8
1.1 to 1.4
0 to 0.1
0
+
–
PIN CONNECTION (Top view)
P-CHANNEL MOS FET (6-PIN 2 CIRCUITS)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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UPA603T-T2-A 功能描述:MOSFET P-CH DUAL 50V SC-59 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
UPA604T(T1-A) 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape
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