參數(shù)資料
型號(hào)： UNR9110J(UN9110J)
英文描述： Composite Device - Transistors with built-in Resistor
中文描述： 復(fù)合裝置-內(nèi)置晶體管，電阻，
文件頁(yè)數(shù)： 12/18頁(yè)
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代理商： UNR9110J(UN9110J)
UNR91XXJ Series
3
SJH00038AED
I Electrical Characteristics (continued) T
a = 25°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Resis-
UNR9111J/9112J/9113J/911LJ
R1/R2
0.8
1.0
1.2
tance
UNR9114J
0.17
0.21
0.25
ratio
UNR9118J/9119J
0.08
0.1
0.12
UNR911DJ
3.7
4.7
5.7
UNR911EJ
1.7
2.14
2.6
UNR911FJ
0.37
0.47
0.57
UNR911HJ
0.17
0.22
0.27
UNR911MJ
0.047
UNR911NJ
0.1
UNR911TJ
0.47
UNR911AJ/911VJ
1.0
Resistance between emitter to base UNR911CJ
R2
30%
47
+30%
k
Characteristics chart of UNR9110J
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
Common characteristics chart
PT Ta
0
160
20
60
100
140
40
120
80
150
125
100
75
50
25
Ambient temperature T
a (°C)
Total
power
dissipation
P
T
(mW
)
0
12
2
10
4
8
6
120
100
80
60
40
20
Ta
= 25°C
IB
= 1.0 mA
0.9 mA
0.8 mA
0.7 mA
0.6 mA
0.5 mA
0.4 mA
0.3mA
0.2mA
0.1mA
Collector to emitter voltage V
CE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
0.01
0.03
0.1 0.3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10 30 100
IC / IB
= 10
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (mA)
0
1
3
100
200
300
400
10 30 100 300 1000
VCE
= –10 V
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (mA)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UNR9110Q TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416
UNR9114J(UN9114J) Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR9115J(UN9115J) Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR9115Q TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416
UNR9115R TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416
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參數(shù)描述
UNR9110Q 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416
UNR9110R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416
UNR9110S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416
UNR9111 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416
UNR9111G0L 功能描述:TRANS PNP W/RES 35 HFE SSMINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
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