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參數(shù)資料
| 型號： | UNR2227(UN2227) |
| 英文描述： | 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| 中文描述： | 複合デバイス-抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| 文件頁數(shù)： | 13/17頁 |
| 文件大小： | 280K |
| 代理商： | UNR2227(UN2227) |
UNR22XX Series
13
SJH00010BED
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
C
ob
V
CB
V
IN
I
O
0
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
12
2
10
4
8
6
0
240
200
160
120
80
40
C
C
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.8 mA
0.2 mA
0.4 mA
0.6 mA
0.01
1
3
Collector current I
C
(mA)
0.1
1
10
100
10
30
100
300
1
000
C
C
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
3
Collector current I
C
(mA)
240
200
160
120
80
40
10
30
100
300
1
000
F
F
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
6
5
4
3
2
1
3
10
30
100
C
o
Collector to base voltage V
CB
(V)
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
0.01
0.1
0.3
0.1
1
10
100
1
3
10
30
100
I
I
Output current I
O
(mA)
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
0
0
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
12
2
10
4
8
6
240
200
160
120
80
40
C
C
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.2 mA
0.1 mA
0.3 mA
0.4 mA
0.0.0.70.6 mA
0.001
0.003
1
3
Collector current I
C
(mA)
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
10
30
100
300
1
000
C
C
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
C
0
1
3
Collector current I
C
(mA)
100
200
300
500
400
10
30
100
300
1
000
F
F
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
Characteristics charts of UNR221L
Characteristics charts of UNR221M
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR221N(UN221N) | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR221M(UN221M) | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR221L(UN221L) | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR221K(UN221K) | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR221F(UN221F) | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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