- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄361569 > UNR111D(UN111D) 複合デバイス － 抵抗內蔵型トランジスタ PDF資料下載
參數資料
| 型號： | UNR111D(UN111D) |
| 英文描述： | 複合デバイス － 抵抗內蔵型トランジスタ |
| 中文描述： | 複合デバイス-抵抗內蔵型トランジスタ |
| 文件頁數： | 12/14頁 |
| 文件大小： | 543K |
| 代理商： | UNR111D(UN111D) |
12
UNR111x
SJH00001BJD
C
ob
V
CB
V
IN
I
O
UNR111H
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
UNR111L
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
0
0
12
2
10
V
CE
(V)
4
8
6
120
100
80
60
40
20
C
T
a
=
25
°
C
I
B
=
0.5 mA
0.3 mA
0.4 mA
0.2 mA
0.1 mA
0.01
1
0.1
1
10
100
10
100
I
C
(mA)
1
000
C
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
0.1
240
200
160
120
80
40
1
10
100
F
I
C
(mA)
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
6
5
4
3
2
1
10
100
V
CB
(V)
(
)
o
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
I
I
O
(mA)
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
0
0
–12
–2
–10
V
CE
(V)
–4
–8
–6
240
200
160
120
80
40
C
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.2 mA
0.4 mA
0.6 mA
0.8 mA
0.01
1
0.1
1
10
100
10
100
I
C
(mA)
1
000
C
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
240
200
160
120
80
40
10
100
I
C
(mA)
1
000
F
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR111E(UN111E) | 複合デバイス － 抵抗內蔵型トランジスタ |
| UNR111F(UN111F) | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR111H(UN111H) | ULTRA-FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES |
| UNR112Y | LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER |
| UNR1113(UN1113) | 5 V supervisor with battery switchover |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| UNR111E | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer transistor |
| UNR111E(UN111E) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 抵抗內蔵型トランジスタ |
| UNR111F | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer transistor |
| UNR111F(UN111F) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。