- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄361569 > UNR111H(UN111H) ULTRA-FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UNR111H(UN111H) |
| 英文描述： | ULTRA-FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES |
| 中文描述： | 複合デバイス-抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/14頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 543K |
| 代理商： | UNR111H(UN111H) |
當(dāng)前第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)
1
: 2003
10
SJH00001BJD
UNR111x
(UN111x
)
PNP
■
M
,
,
, P
■
(R
1
)
47 k
10 k
22 k
47 k
10 k
10 k
4.7 k
22 k
0.51 k
1 k
47 k
47 k
4.7 k
2.2 k
4.7 k
(R
2
)
10 k
22 k
47 k
47 k
5.1 k
10 k
10 k
22 k
10 k
10 k
4.7 k
UNR1110 (UN1110)
UNR1111 (UN1111)
UNR1112 (UN1112)
UNR1113 (UN1113)
UNR1114 (UN1114)
UNR1115 (UN1115)
UNR1116 (UN1116)
UNR1117 (UN1117)
UNR1118 (UN1118)
UNR1119 (UN1119)
UNR111D (UN111D)
UNR111E (UN111E)
UNR111F (UN111F)
UNR111H (UN111H)
UNR111L (UN111L)
■
T
a
=
25
°
C
)
( )
,
B
R
1
R
2
C
E
Unit : mm
2.5
±
0.1
(1.0)
(
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
M-A1 Package
6.9
±
0.1
(1.5)
(0.85)
0.55
±
0.1
0.45
±
0.05
(2.5)
(2.5)
2
1
3
R 0.7
R 0.9
(
3
±
0
4
±
0
4
±
0
2
±
0
1
±
0
2
±
0
1
±
0
(1.5)
(E
)
V
CBO
50
50
100
V
(B
)
V
CEO
I
C
V
mA
P
T
400
mW
T
j
T
stg
150
°
C
°
C
55
～
+
150
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR112Y | LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER |
| UNR1113(UN1113) | 5 V supervisor with battery switchover |
| UNR1114(UN1114) | 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| UNR1115(UN1115) | 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| UNR1115Q | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-71 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UNR111L | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer transistor |
| UNR111L(UN111L) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| UNR111T | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN, PNP epitaxial planar type (Tr1,2) |
| UNR111X | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer transistor |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。