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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UNR111D(UN111D) |
| 英文描述： | 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| 中文描述： | 複合デバイス-抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| 文件頁數(shù)： | 10/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 543K |
| 代理商： | UNR111D(UN111D) |
10
UNR111x
SJH00001BJD
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
UNR111D
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
UNR111E
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
0
0
12
2
10
V
CE
(V)
4
8
6
60
50
40
30
20
10
C
T
a
=
25C
I
B
=
1.0 mA
0.9 mA
0.8 mA
0.7 mA
0.6 mA
0.5 mA
0.4 mA
0.3 mA
0.2 mA
0.1 mA
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
C
I
C
(mA)
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
40
80
120
160
10
100
I
C
(mA)
1
000
F
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
0.1
6
5
4
3
2
1
1
10
100
V
CB
(V)
(
)
o
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
1
1.5
10
10
2
10
3
10
4
4.0
3.5
3.0
V
IN
(V)
2.5
2.0
O
μ
A
V
O
=
5 V
T
a
=
25
C
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
I
I
O
(mA)
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
C
0
0
12
2
10
V
CE
(V)
4
8
6
60
50
40
30
20
10
C
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.8 mA
0.7 mA
0. 0.6 mA
0.4 mA
0.3 mA
0.2 mA
0.1 mA
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
C
I
C
(mA)
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
100
200
300
400
10
100
I
C
(mA)
1
000
F
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR111E(UN111E) | 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| UNR111F(UN111F) | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR111H(UN111H) | ULTRA-FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES |
| UNR112Y | LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER |
| UNR1113(UN1113) | 5 V supervisor with battery switchover |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UNR111E | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer transistor |
| UNR111E(UN111E) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| UNR111F | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer transistor |
| UNR111F(UN111F) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
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