參數(shù)資料
型號： UCC2752N
元件分類： 基準電壓源/電流源
英文描述： Very low drop voltage regulators with inhibit
中文描述： 電話鈴聲
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大小： 103K
代理商： UCC2752N
6
UCC2751
UCC3751
UNITRODE CORPORATION
7 CONTINENTAL BLVD. MERRIMACK, NH 03054
TEL. (603) 424-2410 FAX (603) 424-3460
TO TRANSFORMER
DRVS
TO OUTPUT
Figure 2. Sampling circuit with two FETs.
TO TRANSFORMER
DRVS
TO OUTPUT
Figure 3. Sampling circuit with single FET and
full-bridge rectifier.
VB
B
0
A
B
A
B
TRANSFORMER SECONDARY
VOLTAGE
0V
DRV2
Figure 1. Effects of sampling delay during off-hook operation.
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PDF描述
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參數(shù)描述
UCC27531D 功能描述:IC GATE DRIVER FET/IGBT 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 驅(qū)動配置:高壓側(cè)或低壓側(cè) 通道類型:單路 驅(qū)動器數(shù):1 柵極類型:IGBT，N 溝道 MOSFET 電壓 - 電源:10 V ~ 32 V 邏輯電壓?- VIL，VIH:1.2V，2.2V 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）:2.5A，5A 輸入類型:非反相 高壓側(cè)電壓 - 最大值（自舉）:- 上升/下降時間（典型值）:15ns，7ns 工作溫度:-40°C ~ 140°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:75
UCC27531DBV 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:2.5-A and 5-A, 35-VMAX VDD FET and IGBT Single-Gate Driver
UCC27531DBVR 功能描述:功率驅(qū)動器IC 2.5-5A 35VMX VDD FET & IGBT Sgl Gate Dvr RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
UCC27531DBVT 功能描述:功率驅(qū)動器IC 2.5-5A 35VMX VDD FET & IGBT Sgl Gate Dvr RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
UCC27531DR 功能描述:IC GATE DRVR IGBT/MOSFET 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 驅(qū)動配置:高壓側(cè)或低壓側(cè) 通道類型:單路 驅(qū)動器數(shù):1 柵極類型:IGBT，N 溝道 MOSFET 電壓 - 電源:10 V ~ 32 V 邏輯電壓?- VIL，VIH:1.2V，2.2V 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）:2.5A，5A 輸入類型:非反相 高壓側(cè)電壓 - 最大值（自舉）:- 上升/下降時間（典型值）:15ns，7ns 工作溫度:-40°C ~ 140°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:1
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