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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TZA3034U |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 數(shù)字傳輸電路 |
| 英文描述： | SDH/SONET STM1/OC3 postamplifier |
| 中文描述： | ATM/SONET/SDH SUPPORT CIRCUIT, UUC29 |
| 封裝： | 1.55 X 1.55 MM, DIE-29 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 20/28頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 143K |
| 代理商： | TZA3034U |
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1999 Nov 03
20
Philips Semiconductors
Product specification
SDH/SONET STM1/OC3 postamplifier
TZA3034
Fig.26 Bonding pad locations of TZA3034U.
(1) Typical value.
handbook, full pagewidth
AGND
4
VCCD
27
TEST
26
DGND
25
DOUT
24
DOUTQ
23
DGND
22
TEST
21
DGND
20
AGND
6
DIN
7
DINQ
8
AGND
9
TEST
10
VCCA
11
n.c.
5
TZA3034U
12
V
3
A
2
T
1
S
32
n
31
n
30
R
29
V
28
V
13
C
14
S
15
T
16
J
17
S
18
S
19
D
MGR283
1.55
(1)
mm
1.55
(1)
mm
x
y
0
0
Table 1
Physical characteristics of bare die
PARAMETER
VALUE
Glass passivation
Bonding pad dimension
Metallization
Thickness
Size
Backing
Attache temperature
Attache time
2.1
μ
m PSG (PhosphoSilicate Glass) on top of 0.65
μ
m oxynitride
minimum dimension of exposed metallization is 90
×
90
μ
m (pad size = 100
×
100
μ
m)
1.22
μ
m W/AlCu/TiW
380
μ
m nominal
1.55
×
1.55 mm (2.4 mm
2
)
silicon; electrically connected to GND potential through substrate contacts
<440
°
C; recommended die attache is glue
<15 s
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PDF描述 |
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