參數(shù)資料
型號： TSM4392
廠商： Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
英文描述： 30V N-Channel MOSFET
中文描述： 30V的N溝道MOSFET
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 182K
代理商： TSM4392
Preliminary
TSM4392
30V N-Channel MOSFET
Electrical Specifications
(Ta = 25
o
C unless otherwise noted)
2/4
Version: Preliminary
Parameter
Conditions
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Static
Drain-Source Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain Current
On-State Drain Current
a
V
GS
= 0V, I
D
= 250uA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μ
A
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
≥
5V, V
GS
= 10V
V
GS
= 10V, I
D
= 12.5A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 10A
V
DS
= 15V, I
D
= 12.5A
I
S
= 2.7A, V
GS
= 0V
BV
DSS
V
GS(TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(ON)
30
1
--
--
30
--
--
--
--
--
1.8
--
--
--
9
13
40
0.85
--
3
V
V
nA
μ
A
A
±100
1.0
--
11.5
16.5
--
1.3
Drain-Source On-State Resistance
a
R
DS(ON)
m
Ω
Forward Transconductance
a
Diode Forward Voltage
Dynamic
b
Total Gate Charge
g
fs
V
SD
S
V
Q
g
Q
gs
--
26
--
Gate-Source Charge
--
6
--
Gate-Drain Charge
V
DS
= 15V, I
D
= 12.5A,
V
GS
= 10V
Q
gd
--
5
--
nC
Input Capacitance
C
iss
--
2134
--
Output Capacitance
C
oss
--
343
--
Reverse Transfer Capacitance
Switching
c
Turn-On Delay Time
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
f = 1.0MHz
C
rss
--
134
--
pF
t
d(on)
--
17
--
Turn-On Rise Time
t
r
--
3.5
--
Turn-Off Delay Time
t
d(off)
t
f
--
40
--
Turn-Off Fall Time
Notes:
a. pulse test: PW
≤
300
μ
S, duty cycle
≤
2%
b. For DESIGN AID ONLY, not subject to production testing.
b. Switching time is essentially independent of operating temperature.
V
DD
= 15V, R
L
= 15
Ω
,
I
D
= 1A, V
GEN
= 10V,
R
G
= 6
Ω
--
6
--
nS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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