參數(shù)資料
型號： TSM12N02_07
廠商： Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
英文描述： 20V N-Channel MOSFET
中文描述： 20V的N溝道MOSFET
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 293K
代理商： TSM12N02_07
TSM12N02
20V N-Channel MOSFET
Electrical Characteristics Curve
(Ta = 25
o
C, unless otherwise noted)
4/6
Version: A07
On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
Threshold Voltage
Single Pulse Power
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TSM12N02 N-Channel Enhancement Mode MOSFET
TSM12N02CP N-Channel Enhancement Mode MOSFET
TSM1N60CH N-Channel Power Enhancement Mode MOSFET
TSM1N60CP N-Channel Power Enhancement Mode MOSFET
TSM1N60 N-Channel Power Enhancement Mode MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TSM12N02CP 功能描述:MOSFET 20V 12A 60W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TSM12N02CP R0 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:TO-252;20V 12AMP N CHANEL MOSF
TSM12N10CP ROG 功能描述:MOSFET 100V 12A P Channel Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TSM12N65 制造商:TSC 制造商全稱:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:650V N-Channel Power MOSFET
TSM12N65CI C0 功能描述:MOSFET 650V 6A N Channel Power Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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