參數(shù)資料
型號(hào)： TSM12N02_07
廠商： Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
英文描述： 20V N-Channel MOSFET
中文描述： 20V的N溝道MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 293K
代理商： TSM12N02_07
TSM12N02
20V N-Channel MOSFET
Electrical Specifications
2/6
Version: A07
Parameter
Conditions
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Static
Drain-Source Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain Current
On-State Drain Current
V
GS
= 0V, I
D
= 250uA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
GS
= ±12V, V
DS
= 0V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
DS
≥
5V, V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V, I
D
= 6A
V
GS
= 10V, I
D
= 8A
V
DS
= 10V, I
D
= 6A
I
S
= 1.7A, V
GS
= 0V
BV
DSS
V
GS(TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(ON)
20
0.6
--
--
12
--
--
7
--
--
--
--
--
--
30
21
13
--
--
--
V
V
nA
uA
A
±100
1.0
--
40
30
--
1.2
Drain-Source On-State Resistance
R
DS(ON)
m
Ω
Forward Transconductance
Diode Forward Voltage
Dynamic
b
Total Gate Charge
g
fs
V
SD
S
V
Q
g
Q
gs
--
4.86
--
Gate-Source Charge
--
0.92
--
Gate-Drain Charge
V
DS
= 10V, I
D
= 6A,
V
GS
= 4.5V
Q
gd
--
1.4
--
nC
Input Capacitance
C
iss
--
562
--
Output Capacitance
C
oss
--
106
--
Reverse Transfer Capacitance
Switching
c
Turn-On Delay Time
V
DS
= 8V, V
GS
= 0V,
f = 1.0MHz
C
rss
--
75
--
pF
t
d(on)
--
8.1
--
Turn-On Rise Time
t
r
--
9.95
--
Turn-Off Delay Time
t
d(off)
t
f
--
21.85
--
Turn-Off Fall Time
Notes:
a. pulse test: PW
≤
300
μ
S, duty cycle
≤
2%
b. For DESIGN AID ONLY, not subject to production testing.
b. Switching time is essentially independent of operating temperature.
V
DD
= 10V, I
D
= 1A,
V
GEN
= 10V,
R
G
= 16
Ω
--
5.35
--
nS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TSM12N02 N-Channel Enhancement Mode MOSFET
TSM12N02CP N-Channel Enhancement Mode MOSFET
TSM1N60CH N-Channel Power Enhancement Mode MOSFET
TSM1N60CP N-Channel Power Enhancement Mode MOSFET
TSM1N60 N-Channel Power Enhancement Mode MOSFET
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參數(shù)描述
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