參數(shù)資料
型號(hào)： TPCS8104
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type
中文描述： 東芝場(chǎng)效應(yīng)晶體管硅P通道馬鞍山類型
文件頁(yè)數(shù)： 6/7頁(yè)
文件大小： 378K
代理商： TPCS8104
TPCS8104
2002-04-05
6
r
th
t
w
Safe Operating Area
Pulse width t
w
(s)
Drain-source voltage V
DS
(V)
N
t
D
D
0.01
1
0.1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
*:
Single pulse Ta
=
25°C
Curves must be derated
linearly with increase in
temperature.
ID max (pulse)
*
10 ms
*
1 ms
*
VDSS max
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
1
10
100
1000
Single pulse
(2)
(1) Device mounted on a glass-epoxy
board (a) (Note 2a)
(2) Device mounted on a glass-epoxy
board (b) (Note 2b)
t
=
10 s
(1)
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PDF描述
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