參數(shù)資料
型號(hào)： TPCS8104
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type
中文描述： 東芝場(chǎng)效應(yīng)晶體管硅P通道馬鞍山類型
文件頁(yè)數(shù)： 5/7頁(yè)
文件大小： 378K
代理商： TPCS8104
TPCS8104
2002-04-05
5
Ambient temperature Ta (°C)
R
DS (ON)
– Ta
D
R
D
)
Drain-source voltage V
DS
(V)
I
DR
– V
DS
D
D
Drain-source voltage V
DS
(V)
Capacitance – V
DS
C
Ambient temperature Ta (°C)
V
th
– Ta
G
t
Ambient temperature Ta (°C)
P
D
– Ta
D
D
G
G
Total gate charge Q
g
(nC)
Dynamic Input/Output Characteristics
D
D
0
0.1
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1
10
Common source
Ta
=
25°C
Pulse test
5
3
1
VGS
=
0 V
1.5
0
80
40
0
40
120
160
80
0.5
1
2
2.5
Common source
VDS
=
10 V
ID
=
1 mA
Pulse test
100
150
175
0
0.8
1.2
1.6
2.0
0.4
0
50
(1) Device mounted on a
glass-epoxy board (a)
(Note 2a)
(2) Device mounted on a
glass-epoxy board (b)
(Note 2b)
t
=
10 s
(1)
(2)
25
75
125
15
0
80
40
0
40
120
160
80
5
10
20
25
VGS
=
4.5 V
Common source
Pulse test
10
ID
=
11 A,
5.5 A,
2.5 A
ID
=
11 A,
5.5 A,
2.5 A
100
0.1
1
10
1000
10000
Coss
Crss
Ciss
Common source
VGS
=
0 V
f
=
1 MHz
Ta
=
25°C
30000
50000
3000
5000
300
500
100
0.3
3
30
12
8
0
4
10
6
2
0
10
20
30
0
20
40
60
80
Common source
ID
=
11 A
Ta
=
25°C
Pulse test
VDD
=
24 V
VDS
VGS
6
12
140
VDD
=
24 V
12
6
5
15
25
100
120
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PDF描述
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