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參數(shù)資料
| 型號： | TMP86FH09ANG |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 500; Vz (V): 2.5 to 2.7; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: DO-35 |
| 中文描述： | 8位微控制器 |
| 文件頁數(shù)： | 146/200頁 |
| 文件大小： | 1459K |
| 代理商： | TMP86FH09ANG |
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Page 136
14. Flash Memory
14.1 Flash Memory Control
TMP86FH09ANG
14.1 Flash Memory Control
The flash memory is controlled via the flash memory control register (FLSCR) and flash memory stanby control
resister (FLSSTB).
Note 1: The command sequence of the flash memory can be executed only when FLSMD="0011B". In other cases, any attempts
to execute the command sequence are ineffective.
Note 2: FLSMD must be set to either "1100B" or "0011B".
Note 3: Bits 3 through 0 in FLSCR are always read as don’t care.
Note 1: When FSTB is set to 1, do not execute the read/write instruction to the flash memory because there is a possibility that the
expected data is not read or the program is not operated correctly. If executing the read/write instruction, FSTB is initial-
ized to 0 automatically.
Note 2: If an interrupt is issued when FSTB is set to 1, FSTB is initialized to 0 automatically and then the vector area of the flash
memory is read.
Note 3: If the IDLE0/1/2, SLEEP0/1/2 or STOP mode is activated when FSTB is set to 1, FSTB is initialized to 0 automatically. In
the IDLE0/1/2, SLEEP0/1/2 or STOP mode, the standby function operates regardless of FSTB setting.
14.1.1 Flash Memory Command Sequence Execution Control (FLSCR<FLSMD>)
The flash memory can be protected from inadvertent write due to program error or microcontroller misoper-
ation. This write protection feature is realized by disabling flash memory command sequence execution via the
flash memory control register (write protect). To enable command sequence execution, set FLSCR<FLSMD>
to “0011B”. To disable command sequence execution, set FLSCR<FLSMD> to “1100B”. After reset,
FLSCR<FLSMD> is initialized to “1100B” to disable command sequence execution. Normally,
FLSCR<FLSMD> should be set to “1100B” except when the flash memory needs to be written or erased.
14.1.2 Flash Memory Standby Control (FLSSTB<FSTB>)
Low power consumption is enabled by cutting off the steady-state current of the flash memory. In the
IDLE0/1/2, SLEEP0/1/2 or STOP mode, the steady-state current of the flash memory is cut off automatically.
When the program is executed in the RAM area (without accessing the flash memory) in the NORMAL 1/2
or SLOW1/2 mode, the current can be cut off by the control of the register. To cut off the steady-state current of
the flash memory, set FLSSTB<FSTB> to “1” by the control program in the RAM area. The procedures for
controlling the FLSSTB register are explained below.
(Steps1 and 2 are controlled by the program in the flash memory, and steps 3 through 8 are controlled by the
write control program executed in the RAM area.)
Flash Memory Control Register
FLSCR
7
6
5
4
3
2
1
0
(0FFFH)
FLSMD
(Initial value : 1100 ****)
FLSMD
Flash memory command sequence exe-
cution control
1100: Disable command sequence execution
0011: Enable command sequence execution
Others: Reserved
R/W
Flash Memory Standby Control Register
FLSSTB
7
6
5
4
3
2
1
0
(0FE9H)
FSTB
(Initial value : **** ***0)
FSTB
Flash memory standby control
0: Disable the standby function.
1: Enable the standby function.
Write
only
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