參數(shù)資料
型號: TISP5110H3BJ
廠商: Power Innovations International, Inc.
英文描述: FORWARD-CONDUCTING UNIDIRECTIONAL THYRISTOR OVERVOLTAGE PROTECTORS
中文描述: 前瞻性導電單向晶閘管過電壓保護器
文件頁數(shù): 7/15頁
文件大?。?/td> 299K
代理商: TISP5110H3BJ
P R O D U C T I N F O R M A T I O N
7
JANUARY 1998 - REVISED MARCH 1999
TISP5070H3BJ, TISP5080H3BJ, TISP5110H3BJ, TISP5150H3BJ
FORWARD-CONDUCTING
UNIDIRECTIONAL THYRISTOR OVERVOLTAGE PROTECTORS
RATING AND THERMAL INFORMATION
Figure 8.
Figure 9.
Figure 10.
NON-REPETITIVE PEAK ON-STATE CURRENT
vs
CURRENT DURATION
30
V
GEN
= 600 Vrms, 50/60 Hz
R
GEN
= 1.4*V
GEN
/I
TSM(t)
EIA/JESD51-2 ENVIRONMENT
EIA/JESD51-3 PCB
T
A
= 25 °C
t - Current Duration - s
0·1
1
10
100
1000
I
T
1.5
2
3
4
5
6
7
8
9
15
20
10
TI5HAC
TI5XAD
V
DRM
DERATING FACTOR
vs
MINIMUM AMBIENT TEMPERATURE
T
AMIN
- Minimum Ambient Temperature - °C
-35
-25
-15
-5
5
15
25
-40
-30
-20
-10
0
10
20
D
0.93
0.94
0.95
0.96
0.97
0.98
0.99
1.00
IMPULSE RATING
vs
AMBIENT TEMPERATURE
T
A
- Ambient Temperature - °C
-40 -30 -20 -10 0
10 20 30 40 50 60 70 80
I
80
90
100
120
150
200
250
300
400
500
600
700
IEC 1.2/50, 8/20
ITU-T 10/700
FCC 10/560
BELLCORE 2/10
BELLCORE 10/1000
FCC 10/160
TC5XAA
相關PDF資料
PDF描述
TISP5150H3BJ FORWARD-CONDUCTING UNIDIRECTIONAL THYRISTOR OVERVOLTAGE PROTECTORS
TISP5080H3BJ FORWARD-CONDUCTING UNIDIRECTIONAL THYRISTOR OVERVOLTAGE PROTECTORS
TISP61060D DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS PROGRAMMABLE OVERVOLTAGE PROTECTORS
TISP61060DR DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS PROGRAMMABLE OVERVOLTAGE PROTECTORS
TISP61060P DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS PROGRAMMABLE OVERVOLTAGE PROTECTORS
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
TISP5110H3BJR 功能描述:硅對稱二端開關元件 Forward Conducting Unidirectional RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復通態(tài)電流: 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下): 保持電流(Ih 最大值):50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
TISP5110H3BJR-S 功能描述:硅對稱二端開關元件 Forward Conducting Unidirectional RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復通態(tài)電流: 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下): 保持電流(Ih 最大值):50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
TISP5115H3BJ 制造商:Bourns Inc 功能描述:THYRISTOR TVS UNIDIRECTIONAL 115V
TISP5115H3BJR 功能描述:硅對稱二端開關元件 Forward Conducting Unidirectional RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復通態(tài)電流: 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下): 保持電流(Ih 最大值):50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
TISP5115H3BJR-S 功能描述:硅對稱二端開關元件 Forward Conducting Unidirectional RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復通態(tài)電流: 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下): 保持電流(Ih 最大值):50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA