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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TIM5359-4UL |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | MICROWAVE POWER GaAs FET |
| 中文描述： | 微波功率GaAs場(chǎng)效應(yīng)管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 206K |
| 代理商： | TIM5359-4UL |
T IM5359-4UL
0
10
20
30
0
40
80
120
160
200
Tc (℃)
P
T
Power Dissipation vs. Case Temperature
-60
-50
-40
-30
-20
21
23
25
27
29
31
I
V
DS
= 10V
I
DS
1.1A
f= 5.9GHz
Δ
f= 5MHz
IM3 vs. Output Power Characteristics
Po(dBm), Single Carrier Level
4
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| TIM5964-6UL | MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| TIM7785-35SL | MICROWAVE POWER GaAs FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| TIM5359-8SL | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR, GAAS FET, INTERNALLY MATCHED, 5GHZ, 37.5W - Trays |
| TIM5359-8UL | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR, GAAS FET, INTERNALLY MATCHED, 5GHZ, 37.5W - Trays |
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