參數(shù)資料
型號： TIM1011-5L
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： MICROWAVE POWER GaAs FET
中文描述： 微波功率GaAs場效應管
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大小： 145K
代理商： TIM1011-5L
2
TIM1011-5L
ABS OLUT E MAX IMUM RAT INGS ( T a= 25
°
C )
CHARACTERISTICS
SYMBOL
RATING
UNIT
Drain-Source Voltage
V
DS
15
V
Gate-Source Voltage
V
GS
-5
V
Drain Current
I
DS
5.7
A
Total Power Dissipation (Tc= 25
°
C)
Channel Temperature
P
T
30
W
°
C
°
C
T
ch
175
Storage
T
stg
-65
～
+175
PACKAGE OUTLINE (2-9D1B)
HANDLING PRE CAUTIONS FOR PACK AGE D TYPE
Soldering iron should be grounded and the operating time should not exceed 10 seconds
at 260
°
C.
4-R2.4
0.5
±
0.15
13.0
±
0.3
17.0 MAX.
d
9
±
0
2
±
0
2
2
c
d
0
1
±
0
1
±
0
8.5 MAX.
0
3
-
+
e
c
Gate
d
Source
e
Drain
Unit : mm
相關PDF資料
PDF描述
TIM1011-8L MICROWAVE POWER GaAs FET
TIM1213-4L Low Distortion Internally Matched Power GaAs FETs (X, Ku-Band)
TIM1213-5 MICROWAVE POWER GaAs FET
TIM1314-30L MICROWAVE POWER GaAs FET
TIM1414-10LA MICROWAVE POWER GaAs FET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
TIM1011-8L 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR, GAAS FET INTERNALLY MATCHED, 11GHZ, 60W - Trays
TIM1011-8UL 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR, GAAS FET INTERNALLY MATCHED, 11GHZ, 60W - Trays
TIM104K035P0X 功能描述:鉭質(zhì)電容器-固體鉛 0.1uF 35Volts RoHS:否 制造商:Kemet 電容:100 uF 電壓額定值:60 V ESR:100 mOhms 容差:10 % 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 105 C 尺寸:7.92 mm Dia. x 16.28 mm L 引線間隔: 系列:T550 產(chǎn)品:Tantalum Solid Hermetically Sealed 封裝:Tray
TIM104K050P0X 功能描述:鉭質(zhì)電容器-固體鉛 0.1uF 50Volts RoHS:否 制造商:Kemet 電容:100 uF 電壓額定值:60 V ESR:100 mOhms 容差:10 % 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 105 C 尺寸:7.92 mm Dia. x 16.28 mm L 引線間隔: 系列:T550 產(chǎn)品:Tantalum Solid Hermetically Sealed 封裝:Tray
TIM105K025P0X 制造商:CORNELL DUBILIER ELECTRONICS 功能描述:Cap Tant Solid 1uF 25V 10% (7.24 X 4.32 X 5.71mm) Radial 5.08mm 125°C T/R
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*