- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373640 > TIBPAL20R8-25C (Toshiba Corporation) MOS DIGITAL INTERGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | TIBPAL20R8-25C |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | MOS DIGITAL INTERGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
| 中文描述： | 馬鞍山數(shù)字集成電路硅柵CMOS |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 419K |
| 代理商： | TIBPAL20R8-25C |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TIM0910-2 | MICROWAVE POWER GaAs FET |
| TIM1011-15L | P1dB=42.0dBm at 10.7GHz to 11.7GHz |
| TIM1011-5L | MICROWAVE POWER GaAs FET |
| TIM1011-8L | MICROWAVE POWER GaAs FET |
| TIM1213-4L | Low Distortion Internally Matched Power GaAs FETs (X, Ku-Band) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TIBPAL20R8-25CFN | 功能描述:SPLD - 簡單可編程邏輯器件 Low-Power High-Perf Impact PAL Circuits RoHS:否 制造商:Texas Instruments 邏輯系列:TICPAL22V10Z 大電池數(shù)量:10 最大工作頻率:66 MHz 延遲時間:25 ns 工作電源電壓:4.75 V to 5.25 V 電源電流:100 uA 最大工作溫度:+ 75 C 最小工作溫度:0 C 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:DIP-24 |
| TIBPAL20R8-25CJT | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:LOW-POWER HIGH-PERFORMANCE IMPACT E PAL CIRCUITS |
| TIBPAL20R8-25CNT | 功能描述:SPLD - 簡單可編程邏輯器件 Low-Power High-Perf Impact PAL Circuits RoHS:否 制造商:Texas Instruments 邏輯系列:TICPAL22V10Z 大電池數(shù)量:10 最大工作頻率:66 MHz 延遲時間:25 ns 工作電源電壓:4.75 V to 5.25 V 電源電流:100 uA 最大工作溫度:+ 75 C 最小工作溫度:0 C 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:DIP-24 |
| TIBPAL20R8-5C | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:HIGH-PERFORMANCE IMPACT-X PAL CIRCUITS |
| TIBPAL20R8-5CFN | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:HIGH-PERFORMANCE IMPACT-X PAL CIRCUITS |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。