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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TH50VSF3583AASB |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TOSHIBA MULTI-CHIP INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
| 中文描述： | 東芝多芯片集成電路硅柵CMOS |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 17/50頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 548K |
| 代理商： | TH50VSF3583AASB |
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TH50VSF3582/3583AASB
2001-06-08 17/50
AC CHARACTERISTICS
(FLASH MEMORY)
READ CYCLE
LOAD CAPACITANCE
30pF
100pF
SYMBOL
PARAMETER
MIN
MAX
MIN
MAX
UNIT
t
RC
Read Cycle Time
70
80
ns
t
ACC
Address Access Time
70
80
ns
t
CE
CEF
Access Time
70
80
ns
t
OE
OE
Access Time
30
35
ns
t
CEE
CEF
to Output Low-Z
0
0
ns
t
OEE
OE
to Output Low-Z
0
0
ns
t
OEH
OE
Hold Time
0
0
ns
t
OH
Output Data Hold Time
0
0
ns
t
DF1
CEF
to Output Hi-Z
30
25
ns
t
DF2
OE
to Output Hi-Z
20
25
ns
BLOCK PROTECT
SYMBOL
PARAMETER
MIN
MAX
UNIT
t
VPS
V
ID
Set-up Time
4
μ
s
t
CESP
CEF
Set-up Time
4
μ
s
t
VPH
OE
Hold Time
4
μ
s
t
PPLH
WE Low-Level Hold Time
100
μ
s
PROGRAM AND ERASE CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MIN
MAX
UNIT
Auto-Program Time (Byte Mode)
8
*
300
μ
s
t
PPW
Auto-Program Time (Word Mode)
11
*
300
μ
s
t
PCEW
Auto Chip Erase Time
50
*
710
s
t
PBEW
Auto Block Erase Time
0.7
*
10
s
t
EW
Erase/Program Cycle
10
5
Cycles
*
: typ.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TH50VSF3680 | 0.4W, 75V, 0.3A, SIGNAL DIODE, SOD123 |
| TH50VSF3681AASB | GT 10C 10#16 SKT RECP BOX RM |
| TH513 | RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS |
| TH560 | RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS |
| TH562 | RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TH50VSF3680 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:SRAM AND FLASH MEMORY MIXED MULTI-CHIP PACKAGE |
| TH50VSF3681AASB | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:SRAM AND FLASH MEMORY MIXED MULTI-CHIP PACKAGE |
| TH510100000 | 制造商:JOHNSON ELECTRIC 功能描述:LIGHT PUSHBUTTON SWITCHES, 5 AMPS, 250VAC, RECTANGULAR MAINTAINED SWITCH |
| TH510108000 | 制造商:Johnson Electric / Saia-Burgess 功能描述:S.P. LATCHING SWITCH |
| TH510208000 | 制造商:Johnson Electric / Saia-Burgess 功能描述:D.P. LATCHING SWITCH |
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