型號(hào): | TGF4112-EPU |
廠商: | TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC |
元件分類: | 小信號(hào)晶體管 |
英文描述: | 12 mm Discrete HFET |
中文描述: | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HFET |
封裝: | DIE |
文件頁數(shù): | 3/9頁 |
文件大?。?/td> | 153K |
代理商: | TGF4112-EPU |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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TGF4118 | 18 mm Discrete HFET |
TGF4118-EPU | 18 mm Discrete HFET |
TGF4124 | 24 mm Discrete HFET |
TGF4124-EPU | 24 mm Discrete HFET |
TGF4230-SCC | DC - 12 GHz Discrete HFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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TGF4118 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 DC-6.0GHz 7 Watt HFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
TGF4118-EPU | 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:18 mm Discrete HFET |
TGF4124 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 DC-4.0GHz 10 Watt HFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
TGF4124-EPU | 制造商:TriQuint Semiconductor 功能描述:DC-4.0GHZ 10 WATT HFET |
TGF4230 | 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:1.2mm Discrete HFET |