參數(shù)資料
型號： TGF4124-EPU
廠商： TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 24 mm Discrete HFET
中文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HFET
封裝： DIE
文件頁數(shù)： 1/9頁
文件大?。?/td> 153K
代理商： TGF4124-EPU
TriQuint Semiconductor Texas Phone: 972 994-8465 Fax 972 994-8504
Web: www.triquint.com
1
4124
0.5 um gate finger length
Nominal Pout of 12 Watts at 2.3 GHz
Nominal PAE of 51.5% at 2.3 GHz
Nominal Gain of 10.8 dB at 2.3 GHz
Die size 36.0 x 81.0 x 4.0 mils
(0.914 x 2.057 x 0.102 mm)
TGF4124-EPU RF Performance at F = 2.3 GHz
Vd = 8.0 V, Vg = -1.1 V, Iq = 2.17 A and T
A
= 25°C
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
20
22
24
26
28
30
32
Input Power (dBm)
O
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
P
Pout
PAE
24 mm Discrete HFET
TGF4124-EPU
相關PDF資料
PDF描述
TGF4230-SCC DC - 12 GHz Discrete HFET
TGF4230 1.2mm Discrete HFET
TGF4230-EEU 1.2mm Discrete HFET
TGF4240 2.4mm Discrete HFET
TGF4240-EPU 2.4mm Discrete HFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
TGF4230 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:1.2mm Discrete HFET
TGF4230-EEU 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:1.2mm Discrete HFET
TGF4230-SCC 功能描述:射頻GaAs晶體管 DC-12.0GHz 0.7W HFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體:
TGF4240 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:2.4mm Discrete HFET
TGF4240-EPU 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:2.4mm Discrete HFET
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*