參數(shù)資料
型號(hào)： TGF2022-06
廠商： TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 衰減器
英文描述： DC - 20 GHz Discrete power pHEMT
中文描述： 0 MHz - 20000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
封裝： 0.57 X 0.53 MM, 0.10 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, CHIP-2
文件頁(yè)數(shù)： 5/10頁(yè)
文件大?。?/td> 225K
代理商： TGF2022-06
Advance Product Information
September 19, 2005
TGF2022-06
TriQuint Semiconductor Texas: Phone (972)994-8465 Fax (972)994-8504 Email: Info-mmw@tqs.com Web: www.triquint.com
5
Measured Fixtured Data
Power tuned data at 10GHz
Efficiency tuned data at 10GHz
For power tuned devices at 10GHz
Input matched for maximum gain & output load is:
Vd=12V, Idq=45mA: Rp = 57.0
, Cp = 0.257pF,
Γ
= 0.400,
θ
= 104.7
°
Vd=10V, Idq=75mA: Rp = 44.6
, Cp = 0.276pF,
Γ
= 0.382,
θ
= 120.1°
For efficiency tuned devices at 10GHz:
Input matched for maximum gain & output load is:
Vd=12V, Idq=45mA: Rp = 74.2
, Cp = 0.255pF,
Γ
= 0.466,
θ
= 93.4°
Vd=10V, Idq=45mA: Rp = 72.5
, Cp = 0.252pF,
Γ
= 0.455,
θ
= 93.7°
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Input Power (dBm)
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38
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P
Vd = 12V, Id = 45mA
Vd = 10V, Id = 45mA
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Input Power (dBm)
G
10
14
18
22
26
30
34
38
42
46
50
54
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P
Vd = 12V, Id = 45mA
Vd = 10V, Id = 45mA
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Input Power (dBm)
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Vd = 12V, Id = 45mA
Vd = 10V, Id = 45mA
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Input Power (dBm)
P
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I
Vd = 12V, Id = 45mA
Vd = 10V, Id = 45mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TGF2022-12 DC - 20 GHz Discrete power pHEMT
TGF2022-24 DC - 20 GHz Discrete power pHEMT
TGF2022-48 DC - 20 GHz Discrete power pHEMT
TGF2022-60 DC - 20 GHz Discrete power pHEMT
TGF2961-SD Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 500; Vz (V): 8.3 to 9.1; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: LLD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TGF2022-12 功能描述:射頻GaAs晶體管 DC-20GHz 1.2mm Pwr pHEMT (0.35um) RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
TGF2022-24 功能描述:射頻GaAs晶體管 DC-20GHz 2.4mm Pwr pHEMT (0.35um) RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
TGF2022-48 功能描述:射頻GaAs晶體管 DC-20GHz 4.8mm Pwr pHEMT (0.35um) RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
TGF2022-60 功能描述:射頻GaAs晶體管 DC-20GHz 6.0mm Pwr pHEMT (0.35um) RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
TGF2023-01 功能描述:射頻GaAs晶體管 1.25mm GaN Discrete RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
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