參數(shù)資料
型號： TGF2022-06
廠商： TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 衰減器
英文描述： DC - 20 GHz Discrete power pHEMT
中文描述： 0 MHz - 20000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
封裝： 0.57 X 0.53 MM, 0.10 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, CHIP-2
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大小： 225K
代理商： TGF2022-06
Advance Product Information
September 19, 2005
TGF2022-06
TriQuint Semiconductor Texas: Phone (972)994-8465 Fax (972)994-8504 Email: Info-mmw@tqs.com Web: www.triquint.com
4
Measured Fixtured Data
IMD3 vs. output power/tone at 10 & 18 GHz
TABLE IV
THERMAL INFORMATION
Parameter
Test Conditions
T
CH
(
o
C)
T
JC
(
q
C/W)
T
M
(HRS)
θ
JC
Thermal Resistance
(channel to backside of carrier)
Vd = 12 V
Idq = 45 mA
Pdiss = 0.54 W
145
138
1.6 E+6
Note: Assumes eutectic attach using 1.5 mil 80/20 AuSn mounted to a 20 mil CuMo
Carrier at 70
°
C baseplate temperature.
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
Output power/tone (dBm)
I
18 GHz, Vd=12V, Id=45mA
18 GHz, Vd=10V, Id=45mA
10 GHz, Vd=12V,Id=45mA
10 GHz, Vd=10V, Id=45mA
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PDF描述
TGF2022-12 DC - 20 GHz Discrete power pHEMT
TGF2022-24 DC - 20 GHz Discrete power pHEMT
TGF2022-48 DC - 20 GHz Discrete power pHEMT
TGF2022-60 DC - 20 GHz Discrete power pHEMT
TGF2961-SD Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 500; Vz (V): 8.3 to 9.1; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: LLD
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參數(shù)描述
TGF2022-12 功能描述:射頻GaAs晶體管 DC-20GHz 1.2mm Pwr pHEMT (0.35um) RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
TGF2022-24 功能描述:射頻GaAs晶體管 DC-20GHz 2.4mm Pwr pHEMT (0.35um) RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
TGF2022-48 功能描述:射頻GaAs晶體管 DC-20GHz 4.8mm Pwr pHEMT (0.35um) RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
TGF2022-60 功能描述:射頻GaAs晶體管 DC-20GHz 6.0mm Pwr pHEMT (0.35um) RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
TGF2023-01 功能描述:射頻GaAs晶體管 1.25mm GaN Discrete RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
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