參數(shù)資料
型號(hào): TDA8512
廠商: NXP Semiconductors N.V.
英文描述: 26 W BTL and 2 x 13 W SE or 4 x 13 W SE power amplifier
中文描述: 26糯橋接和2 x 13 W功率SE或4 × 13 W功率東南功率放大器
文件頁數(shù): 20/24頁
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代理商: TDA8512
2001 Nov 16
20
Philips Semiconductors
Preliminary specification
26 W BTL and 2
×
13 W SE or
4
×
13 W SE power amplifier
TDA8512J
15 PACKAGE OUTLINE
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
Note
1. Plastic or metal protrusions of 0.25 mm maximum per side are not included.
SOT243-1
0
5
10 mm
scale
D
L
E
A
c
A
2
L
3
Q
w
M
b
p
1
d
D
Z
e
e
x
h
1
17
j
Eh
non-concave
97-12-16
99-12-17
DBS17P: plastic DIL-bent-SIL power package; 17 leads (lead length 12 mm)
SOT243-1
view
B
: mounting base side
m
2
e
v
M
B
UNIT
A
e
1
A
2
b
p
c
D
(1)
E
(1)
Z
(1)
d
e
D
h
L
L
3
m
mm
17.0
15.5
4.6
4.4
0.75
0.60
0.48
0.38
24.0
23.6
20.0
19.6
10
2.54
v
0.8
12.2
11.8
1.27
e
2
5.08
2.4
1.6
E
h
6
2.00
1.45
2.1
1.8
3.4
3.1
4.3
12.4
11.0
Q
j
0.4
w
0.03
x
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