參數(shù)資料
型號： TDA8512
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： 26 W BTL and 2 x 13 W SE or 4 x 13 W SE power amplifier
中文描述： 26糯橋接和2 x 13 W功率SE或4 × 13 W功率東南功率放大器
文件頁數(shù)： 18/24頁
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代理商： TDA8512
2001 Nov 16
18
Philips Semiconductors
Preliminary specification
26 W BTL and 2
×
13 W SE or
4
×
13 W SE power amplifier
TDA8512J
handbook, halfpage
MGW437
Po (W)
10
2
10
1
1
10
10
2
THD
(%)
1
10
1
10
2
(1)
(2)
(3)
Fig.21 THD as a function of output power at
R
L
= 4
.
BTL mode.
(1) f
i
= 10 kHz.
(2) f
i
= 1 kHz.
(3) f
i
= 100 Hz.
handbook, halfpage
MGW438
10
2
10
1
1
10
10
2
THD
(%)
1
10
1
10
2
fi (kHz)
Fig.22 THD as a function of frequency; no
bandpass applied.
BTL mode.
P
o
= 1 W; R
L
= 4
.
handbook, halfpage
SVRR
(dB)
MGW439
60
80
40
20
10
2
10
1
1
10
10
2
(1)
(2)
fi (kHz)
Fig.23 SVRR as a function of frequency at
V
REF
= 1 V; no bandpass applied.
BTL mode.
(1) Operating.
(2) Mute.
handbook, halfpage
Po
(W)
5
10
15
20
VP (V)
30
10
0
20
MGW440
(1)
(2)
(3)
(4)
Fig.24 Output power as a function of supply
voltage.
BTL mode.
(1) R
L
= 4
; THD = 10%.
(2) R
L
= 4
; THD = 0.5%.
(3) R
L
= 8
; THD = 10%.
(4) R
L
= 8
; THD = 0.5%.
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PDF描述
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