參數資料
型號： TD9944
廠商： ELAN Microelctronics Corp .
英文描述： Dual N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓240V，低門限2.0V，雙N溝道增強型DMOS場效應管)
中文描述： 雙N溝道增強型場效應管垂直的DMOS（擊穿電壓240伏，2.0V的低門限，雙?溝道增強型的DMOS場效應管）
文件頁數： 3/4頁
文件大?。?/td> 26K
代理商： TD9944
9-12
TD9944
Typical Performance Curves
T
j
G
V
(
D
R
(
V
DS
(th)
and R
Variation with Temperature
C)
°
(
On-Resistance vs. Drain Current
(amperes)
D
I
(
D
R
Variation with Temperature
DSS
D
B
(
C)
°
(
T
j
Transfer Characteristics
V
GS
(volts)
I
D
BV
0
2
4
6
8
10
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-50
0
50
100
150
1.1
1.0
10
8
6
4
2
0
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-50
0
50
100
150
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 10V
T
= -55
°
C
A
V
DS
= 25V
150
°
C
0
1
2
3
5
4
0.9
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
V @ 1mA
R
DS(ON)
@ 10V, 0.5A
25
°
C
Output Characteristics
4.0
3.2
2.4
1.6
0.8
0
V
DS
(volts)
I
D
Saturation Characteristics
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
V
DS
(volts)
I
D
0
10
20
30
50
40
V
GS
= 10V
8V
6V
4V
2V
0
2
4
6
10
8
V
GS
= 10V
2V
6V
4V
3V
3V
8V
相關PDF資料
PDF描述
TD9944 Dual N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TD9944TG Dual N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
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參數描述
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TD9944TG-G 功能描述:MOSFET 240V 6Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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