參數(shù)資料
型號： TCS59SM816BFTL-70
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： 4M×4Banks×16Bits Synchronous DRAM(4組4M×16位同步動態(tài)RAM)
中文描述： 4米× 4Banks × 16位同步DRAM（4組4米× 16位同步動態(tài)RAM）的
文件頁數(shù)： 43/49頁
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代理商： TCS59SM816BFTL-70
TC59SM816/08/04BFT/BFTL-70,-75,-80
2000-03-14 43/49
Figure 17. Timing chart for Read-to-Write cycle
(1)
CAS
Latency
=
2
(a) Command
Read
DQ
Write
D0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
D1
D2
D3
DQM
In the case of Burst Length
=
4
(b) Command
Read
DQ
Write
D0
D1
D2
D3
DQM
(2)
CAS
Latency
=
3
(a) Command
Read
DQ
Write
D0
D1
D2
D3
DQM
(b) Command
Read
DQ
Write
D0
D1
D2
D3
DQM
Note)
The output data must be masked by DQM to avoid I/O conflict.
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PDF描述
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