參數(shù)資料
型號(hào)： TCS59SM816BFT-75
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： 4M×4Banks×16Bits Synchronous DRAM(4組4M×16位同步動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述： 4米× 4Banks × 16位同步DRAM（4組4米× 16位同步動(dòng)態(tài)RAM）的
文件頁(yè)數(shù)： 41/49頁(yè)
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代理商： TCS59SM816BFT-75
TC59SM816/08/04BFT/BFTL-70,-75,-80
2000-03-14 41/49
Figure 15. Auto Precharge timing (Read cycle)
(1)
CAS
Latency
=
2
(a) Burst Length
=
1
Command
Read
DQ
AP
Act
Q0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
t
RP
(b) Burst Length
=
2
Command
DQ
(c) Burst Length
=
4
Command
DQ
(d) Burst Length
=
8
Command
DQ
(2)
CAS
Latency
=
3
(a) Burst Length
=
1
Command
DQ
(b) Burst Length
=
2
Command
DQ
(c) Burst Length
=
4
Command
DQ
(d) Burst Length
=
8
Command
DQ
Read
AP
Act
Q0
Read
AP
Act
Q0
Read
Q0
Read AP
Act
Q0
t
RP
Read
AP
Act
Q0
t
RP
Read
AP
Act
Q0
t
RP
Read
AP
Act
t
RP
Q0
Q1
Q1
Q2
Q3
AP
Act
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
Q1
Q1
Q2
Q3
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
Note)
represents the Read with Auto Precharge command.
represents the start of internal precharging.
AP
Act
When the Auto Precharge command is asserted, the period from the Bank Activate command to the start of internal
precharging must be at least t
RAS
(min).
t
RP
t
RP
t
RP
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PDF描述
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