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參數(shù)資料
| 型號： | T221160A-30S |
| 廠商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 64K x 16 DYNAMIC RAM FAST PAGE MODE |
| 中文描述： | 64K的× 16動(dòng)態(tài)RAM快速頁面模式 |
| 文件頁數(shù)： | 4/14頁 |
| 文件大小： | 134K |
| 代理商： | T221160A-30S |
TE
CH
tm
DC CHARACTERISTICS
(Ta = 0 to 70
°
C, Vcc = 5V
±
10%, Vss = 0V)
T221160A
Taiwan Memory Technology, Inc. reserves the right
P. 4
to change products or specifications without notice.
Publication Date: FEB. 2002
Revision:A
-25
-30
-35
-40
Parameter
Symbol
Min Max Min Max Min Max Min Max
Unit
Test Condition
Operating Current
Icc1
-
170
-
150
-
130
-
120 mA RAS, CAScycling
tRC=min
TTL interface,
Standby Current
Icc2
-
4
-
4
-
4
-
4
mA
RAS,CAS=VIH,
DOUT=High-Z
CMOS interface,
Standby Current
Icc3
-
2
-
2
-
2
-
2
mA
RAS, CAS> Vcc-0.2V
Fast Page Mode Current
Icc4
-
170
-
150
-
130
-
120
mA RAS=VIL,CAS
cycling, tPC= min
120
mA CAS=VIH, RAS
cycling, tRC= min
120
mA RAS,CAS cycling,
tRC= min
RAS-only refresh
Current
Icc5
-
170
-
150
-
130
-
CAS Before RAS
Refresh Current
Icc6
-
170
-
150
-
130
-
Note: Icc depends on output load condition when the device is selected.
Icc max is specified at the output open condition, Icc is specified as an average current.
CAPACITANCE
(Ta =25
°
C, Vcc =5V, f = 1M HZ)
Parameter
Input Capacitance
(address)
Input Capacitance
(RAS,CAS,WE,OE )
Output Capacitance
(data-in/out)
Symbol
Typ
Max
Unit
CI1
-
5
pF
CI2
-
7
pF
CI/O
-
10
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T221160A-35J | 64K x 16 DYNAMIC RAM FAST PAGE MODE |
| T221160A-35S | 64K x 16 DYNAMIC RAM FAST PAGE MODE |
| T224160B | 256K x 16 DYNAMIC RAM FAST PAGE MODE |
| T224160B-30 | 256K x 16 DYNAMIC RAM FAST PAGE MODE |
| T224160B-35 | 256K x 16 DYNAMIC RAM FAST PAGE MODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| T221160A-35J | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:64K x 16 DYNAMIC RAM FAST PAGE MODE |
| T221160A-35S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:64K x 16 DYNAMIC RAM FAST PAGE MODE |
| T221N | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PHASE CONTROL THYRISTORS |
| T221N08BOF | 功能描述:SCR模塊 800V 6.5KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復(fù)通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK |
| T221N08EOF | 功能描述:SCR模塊 800V 6.5KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復(fù)通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK |
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