參數(shù)資料
型號(hào)： T221160A-30S
廠商： TM Technology, Inc.
英文描述： 64K x 16 DYNAMIC RAM FAST PAGE MODE
中文描述： 64K的× 16動(dòng)態(tài)RAM快速頁面模式
文件頁數(shù)： 11/14頁
文件大?。?/td> 134K
代理商： T221160A-30S
TE
CH
tm
T221160A
Taiwan Memory Technology, Inc. reserves the right
P. 11
to change products or specifications without notice.
Publication Date:FEB. 2002
Revision:A
FAST-PAGE-MODE READ-EARLY-WRITE CYCLE
(Pseudo READ-MODIFY-WRITE)
t
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RAS
ONLY REFRESH CYCLE
(ADDR=A0-A7 ;
OE
,
WE
=DON‘T CARE)
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RAS
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CAS
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IH
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OPEN
ROW
ROW
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RAH
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CRP
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RPC
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RP
t
RAS
t
RC
DON'T CARE
UNDEFINED
t
OFF
Note1:Do not drive data prior to tristate.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
T221160A-35J 64K x 16 DYNAMIC RAM FAST PAGE MODE
T221160A-35S 64K x 16 DYNAMIC RAM FAST PAGE MODE
T224160B 256K x 16 DYNAMIC RAM FAST PAGE MODE
T224160B-30 256K x 16 DYNAMIC RAM FAST PAGE MODE
T224160B-35 256K x 16 DYNAMIC RAM FAST PAGE MODE
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參數(shù)描述
T221160A-35J 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:64K x 16 DYNAMIC RAM FAST PAGE MODE
T221160A-35S 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:64K x 16 DYNAMIC RAM FAST PAGE MODE
T221N 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PHASE CONTROL THYRISTORS
T221N08BOF 功能描述:SCR模塊 800V 6.5KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復(fù)通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
T221N08EOF 功能描述:SCR模塊 800V 6.5KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復(fù)通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
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