參數(shù)資料
型號： T1235H-600T
廠商： 意法半導(dǎo)體
元件分類： 三端雙向可控硅開關(guān)
英文描述： 12A TRIACS
中文描述： 第12A雙向可控硅
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大小： 94K
代理商： T1235H-600T
T1235H Series
5/7
Fig. 10:
Leakage current versus junction
temperature for different values of blocking
voltage (typical values).
Fig. 11:
Acceptable repetitive peak off-state
voltage versus case-ambient thermal resistance.
Fig. 12:
D2PAK Thermal resistance junction to
ambient versus copper surface under tab (printed
circuit board FR4, copper thickness: 35
μ
m).
50
75
100
125
150
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
Tj(°C)
IDRM/IRRM(mA)
VD=VR=600V
VD=VR=400V
VD=VR=200V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
100
200
300
400
500
600
700
Rth(c-a)(°C/W)
VDRM/VRRM(V)
Tj=150°C
Rth(j-c)=1.2°C/W
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
0
10
20
30
40
50
60
70
80
S(cm2)
Rth(j-a) (°C/W)
D2PAK
相關(guān)PDF資料
PDF描述
T1235H-600TRG 12A TRIACS
T12xxxH Standard Triacs(標準雙向可控硅)
T14L2M16A 128K X 16 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM
T14L2M16A-10S 128K X 16 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM
T14L2M16A-12C 128K X 16 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
T1235H-600TRG 功能描述:雙向可控硅 12 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
T1235H-600T-TR 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:12A TRIACS
T1235H6F 制造商:JIEJIE 制造商全稱:JIEJIE 功能描述:12A TRIACs
T1235H6G 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:High temperature 12 A Triacs
T1235H-6G 功能描述:雙向可控硅 Hi temp 12A 雙向可控硅 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
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