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參數(shù)資料
| 型號： | T1235H-600T |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 元件分類： | 三端雙向可控硅開關(guān) |
| 英文描述： | 12A TRIACS |
| 中文描述： | 第12A雙向可控硅 |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大小： | 94K |
| 代理商： | T1235H-600T |
T1235H Series
4/7
Fig. 4:
Relative variation of gate trigger current,
holding current and latching current versus
junction temperature (typical values).
Fig. 5:
Surge peak on-state current versus
number of cycles.
Fig. 6:
Non-repetitive surge peak on-state
current for a sinusoidal pulse with width
tp < 10ms, and corresponding value of I2t.
Fig. 7:
On-state characteristics (maximum
values).
Fig. 8:
Relative variation of critical rate of
decrease of main current versus junction
temperature (typical values).
Fig. 9:
Relative variation of critical rate of decrease
of main current versus (dV/dt)c (typical values).
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
Tj(°C)
IGT,IH,IL [Tj] / IGT,IH,IL [Tj=25°C]
IGT
IH & IL
1
10
100
1000
0
25
50
75
100
125
150
Number of cycles
ITSM(A)
Non repetitive
Tj initial=25°C
Repetitive
Tc=135°C
One cycle
t=20ms
0.01
0.10
1.00
10.00
100
1000
2000
tp(ms)
ITSM(A),I2t(A2s)
Tj initial=25°C
ITSM
I2t
dI/dt limitation:
50A/μs
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
1
10
100
200
VTM(V)
ITM(A)
Tj=25°C
Tj max.
Vto = 0.80 V
Rd = 25 m
Tj max.
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
6
7
8
Tj(°C)
(dI/dt)c [Tj] / (dI/dt)c [Tj=150°C]
0.1
1.0
10.0
100.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
(dV/dt)c (V/μs)
(dI/dt)c [(dV/dt)c] / Specified (dI/dt)c
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T1235H-600TRG | 12A TRIACS |
| T12xxxH | Standard Triacs(標準雙向可控硅) |
| T14L2M16A | 128K X 16 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM |
| T14L2M16A-10S | 128K X 16 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM |
| T14L2M16A-12C | 128K X 16 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| T1235H-600TRG | 功能描述:雙向可控硅 12 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| T1235H-600T-TR | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:12A TRIACS |
| T1235H6F | 制造商:JIEJIE 制造商全稱:JIEJIE 功能描述:12A TRIACs |
| T1235H6G | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:High temperature 12 A Triacs |
| T1235H-6G | 功能描述:雙向可控硅 Hi temp 12A 雙向可控硅 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
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