參數(shù)資料
型號(hào)： SUM50N06-16L
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET, Logic Level
中文描述： N溝道60五（副），175 ? MOSFET的邏輯電平
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大小： 70K
代理商： SUM50N06-16L
SUM50N06-16L
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72048
S-22124—Rev. A, 25-Nov-02
www.vishay.com
5
THERMAL RATINGS
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
I
D
0
10
20
30
40
50
60
0
25
50
75
100
125
150
175
Safe Operating Area
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
200
10
0.1
0.1
1
10
100
Limited by r
DS(on)
1
100
T
= 25 C
Single Pulse
1 ms
10 ms
dc, 100 ms
100 s
Square Wave Pulse Duration (sec)
2
1
0.1
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
N
T
10
Drain Current vs. Case Temperature
T
C
Case Temperature ( C)
0.2
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
10 s
0.05
0.1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SUM55N03-16P N-Channel 30-V (D-S) 175∩ MOSFET
SUM60N04-05LT N-Channel 40-V (D-S) MOSFET with Sensing Diode
SUM60N06-15 N-Channel 60-V (D-S) 175C MOSFET
SUM60N08-07C Current-Sensing Power MOSFETs
SUM60N10-17 N-Channel 100-V (D-S) 175C MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SUM50N06-16L-E3 功能描述:MOSFET 60V 50A 93W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUM50UF 制造商:SSDI 制造商全稱:Solid States Devices, Inc 功能描述:0.4 AMPS 2000 - 5000 VOLTS 60 nsec HIGH VOLTAGE ULTRA FAST RECTIFIER
SUM50UFSMS 制造商:SSDI 制造商全稱:Solid States Devices, Inc 功能描述:0.4 AMPS 2000 - 5000 VOLTS 60 nsec HIGH VOLTAGE ULTRA FAST RECTIFIER
SUM52N20-39P-E3 功能描述:MOSFET 200V 52A 250W 39mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUM55N03-16P 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) 175℃ MOSFET
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