參數(shù)資料
型號： SUM50N06-16L
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET, Logic Level
中文描述： N溝道60五（副），175 ? MOSFET的邏輯電平
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大小： 70K
代理商： SUM50N06-16L
SUM50N06-16L
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 72048
S-22124—Rev. A, 25-Nov-02
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
Drain Source Breakdown vs.
Junction Temperature
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
On-Resistance vs. Junction Temperature
Source-Drain Diode Forward Voltage
T
J
Junction Temperature ( C)
V
SD
Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
100
10
1
0.3
0.6
0.9
1.2
V
GS
= 10 V
I
D
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
(
r
D
)
0
60
64
68
72
76
80
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
Junction Temperature ( C)
t
in
(Sec)
1000
10
0.00001
0.001
0.1
1
0.1
(
I
D
0.01
I
AV
(A) @ T
A
= 150 C
(
V
(
I
D
= 10 mA
100
1
0.0001
I
AV
(A) @ T
A
= 25 C
1.5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SUM55N03-16P N-Channel 30-V (D-S) 175∩ MOSFET
SUM60N04-05LT N-Channel 40-V (D-S) MOSFET with Sensing Diode
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SUM60N10-17 N-Channel 100-V (D-S) 175C MOSFET
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參數(shù)描述
SUM50N06-16L-E3 功能描述:MOSFET 60V 50A 93W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUM50UF 制造商:SSDI 制造商全稱:Solid States Devices, Inc 功能描述:0.4 AMPS 2000 - 5000 VOLTS 60 nsec HIGH VOLTAGE ULTRA FAST RECTIFIER
SUM50UFSMS 制造商:SSDI 制造商全稱:Solid States Devices, Inc 功能描述:0.4 AMPS 2000 - 5000 VOLTS 60 nsec HIGH VOLTAGE ULTRA FAST RECTIFIER
SUM52N20-39P-E3 功能描述:MOSFET 200V 52A 250W 39mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUM55N03-16P 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) 175℃ MOSFET
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