參數資料
型號： SUM47N10-24L-E3
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 100-V (D-S) 175 Degree Celcious MOSFET
中文描述： N溝道100 -五（副）175度Celcious MOSFET的
文件頁數： 4/4頁
文件大小： 64K
代理商： SUM47N10-24L-E3
SUM47N10-24L
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 72827
S-40434—Rev. A, 15-Mar-04
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
On-Resistance vs. Junction Temperature
Source-Drain Diode Forward Voltage
T
J
Junction Temperature ( C)
V
SD
Source-to-Drain Voltage (V)
I
100
10
1
0.3
0.6
0.9
1.2
V
GS
= 10 V
I
D
T
J
= 25 C
T
J
= 175 C
0
r
D
(
THERMAL RATINGS
Safe Operating Area
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
I
10
0.1
0.1
1
10
1000
Limited by r
DS(on)
1
100
T
= 25 C
Single Pulse
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Square Wave Pulse Duration (sec)
2
1
0.1
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
N
T
Maximum Avalanche Drain Current
vs. Case Temperature
T
C
Case Temperature ( C)
I
0
10
20
30
40
50
0
25
50
75
100
125
150
175
0.2
0.1
Duty Cycle = 0.5
10 ms
100 ms, dc
30
100 s
10 s
100
1 ms
0.05
0.02
Single Pulse
相關PDF資料
PDF描述
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參數描述
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